Der herausragende Vortrag zum Thema „Auswirkungen von Defekten auf Halbleitermaterialien und Bauelementen“ fand am 7. Dezember 2020 statt. Er wurde vom NanoP der THM – University of Applied Sciences und dem EDS Germany Chapter organisiert. An der Vorlesung nahmen 17 Teilnehmer teil.

Prof. Simoen begann mit einer Motivation über die Auswirkungen von Defekten auf Halbleiter. Anschließend setzte er seine Vorlesung mit einem detaillierten Überblick über die Defektbildung in Hetero Epitaxie Systemen fort. Weiter erklärte er die elektrischen Auswirkungen von Defekten und gab viele Einblicke in verschiedene Messmethoden. Er diskutierte Generation und Rekombinations-Rauschen und Generation und Rekombinations-Rauschspektroskopie als weitere Messmethoden zur Erkennung von Defekten. Dann präsentierte er mehrere Fallstudien, z.B. "Einfluss des Leckstrom auf InGaP- und GaAS-p-i-n-Dioden" und "GR-Rauschspektroskopie von GaN-on-Si-MOSHEMTs". Schließlich schloss er seine Vorlesung mit einer Zusammenfassung aller wichtigen Auswirkungen ab.
Ein großes Dankeschön an alle Teilnehmer und Eddy Simoen.