Vom 25. bis 28. September fand am Campus der spanischen Universitat Rovira i Virgiil (URV) in Tarragona die mittlerweile achte SINANO Modelling Summer School statt.

Die zwei Doktoranden Anita Farokhnejad und Fabian Horst sowie der angehende Doktorand Jakob Leise unserer Arbeitsgruppe "Nanoelektronik/ Bauelementmodellierung" durften teilnehmen und berichten: 

Weiterlesen: 8. SINANO Modelling Summer School in Spanien

Am 7. August fand an der Technischen Universität Darmstadt das zweite "Symposium on Schottky Barrier MOS devices" statt - unter dem Motto "devil or savior". Teilnehmen konnten dieses Jahr Prof. Alexander Klös, Leiter der Arbeitsgruppe "Nanoelektronik / Bauelementmodellierung", sowie seine Kollegen Dr. Ghader Darbandy und Fabian Horst.

In der ersten Hälfte des Zusammentreffens präsentierte Doktorand Horst die mit Anita Farokhnejad gemeinschaftlich erarbeiteten Forschungsergebnisse zum Thema "DC/AC-Modellierung von Tunnel-FETs". Nach der Mittagspause moderierte Prof. Klös die zweite Hälfte der Veranstaltung.

Weiterlesen: Zweites "Symposium on Schottky Barrier MOS devices" in Darmstadt

Vom 26. bis 28. Juli konnten vier Doktoranden/-innen unserer Arbeitsgruppe "Nanoelektronik/ Bauelementmodellierung" die Fortschritte ihrer Arbeit an der Universität Rovira i Virgili (URV) in Tarragona, Spanien, vorstellen. 

Während des sogenannten graduate students meeting ging es für Anita Farokhnejad, Fabian Horst, Jakob Prüfer und Kerim Yilmaz nicht nur um Vorträge, Poster und wissenschaftliche Publikationen. Die freundliche Atmosphäre dieses Treffens gab den Promovierenden die Möglichkeit, mit erfahrenen Professoren/-innen, Wissenschaftlern/-innen und in der Industrie Tätigenden sowie auch anderen Promovierenden über ihre täglichen Herausforderungen zu diskutieren.

"Darüber hinaus," fügt Anita Farokhnejad hinzu, "ist es immer wieder motivierend und faszinierend, sich mit anderen neuartigen Forschungsthemen vertraut zu machen und sich vorzustellen, wie die Wissenschaft die Zukunft unserer Welt verändern kann!"

Doktorand der Arbeitsgruppe "Nanoelektronik und Bauelementmodellierung" präsentiert Arbeitsergebnisse.

Vom 21. bis zum 23. Juni fand die diesjährige MIXDES-Konferenz (Mixed Design of Integrated Circuits and Systems) in der Hafenstadt Gdynia an der polnischen Ostsee statt.

Zum 25. Jubiläum der MIXDES trafen sich erneut ca. 100 Wissenschaftler aus aller Welt, um ihre neuesten Forschungsergebnisse in den Bereichen Schaltungsdesign, Simulation, Modellierung, Funktionstests und Herstellung von Halbleitern und Schaltungen vorzustellen. Dabei erstreckten sich die Themengebiete von Mikro- bzw. Nanoelektronik über Sensoren bis hin zu Leistungshalbleitern und -schaltungen.

Weiterlesen: 25. MIXDES-Konferenz in Polen (21.-23.6.)

Am 22. März 2018 erhielt Dr. Michael Gräf den Robert-Paul-Kling-Preis des VDI Mittelhessen - ein Preis, der seit 1991 jedes Jahr verliehen wird für herausragende Doktorarbeiten. 

Dr. Gräf war Mitglied unserer Arbeitsgruppe "Nanoelektronik / Bauelementemodellierung" und promovierte unter der Betreuung von Prof. Klös zum Thema "Two-Dimensional Analytical Modeling of Tunnel-FETs".

Weiterlesen: Robert-Paul-Kling-Preis für Dissertation

Fabian Horst präsentiert Ergebnisse seiner Arbeitsgruppe in Linz

Am 12. Oktober 2017 fand die 25. Austrochip-Konferenz (Workshop on Microelectronics) in Linz, Österreich, statt. Auf der Austrochip werden jährlich die neuesten Aktivitäten im Bereich der Mikroelektronik und integrierten Schaltungen präsentiert und diskutiert. Dieser Workshop stellt ein Forum dar, auf dem sich Forscher und Vertreter aus der Industrie austauschen und neue Kontakte knüpfen können. Die diesjährige Austrochip wurde von der Johannes Kepler Universität in Linz organisiert und ausgetragen.

Weiterlesen: AG Nanoelektronik in Linz

Um die Entwicklung komplexer elektronischer Schaltkreise, die mit herkömmlichen Druckverfahren produziert werden, geht es in einem Projekt an der Technischen Hochschule Mittelhessen in Gießen. Dessen Leiter Prof. Dr. Alexander Klös vom Kompetenzzentrum für Nanotechnik und Photonik kooperiert dabei mit dem Max-Planck-Institut für Festkörperforschung in Stuttgart und der Firma Admos Advanced Modeling Solutions in Frickenhausen. Das Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF) fördert das Projekt mit 485.000 Euro.

Weiterlesen: Kostengünstige elektronische Bauelemente

On the Physical Behavior of Cryogenic IV and III-V Schottky Barrier MOSFET Devices (Juli 2017)

In einer gemeinsamen Veröffentlichung mit Wissenschaftlern aus Deutschland, Frankreich und den USA im Juli 2017 behandelten Prof. Dr.-Ing. Alexander Klös und Dr. Mike Schwarz das physikalische Verständnis des Ladungstransport von Schottky Barrier MOSFETs insbesondere mit dem Effekt des Schottky Barrier Lowering und dem Fokus auf cryogene Anwendnungen - sprich für Temperaturen bis zu -196,15°C (77K). Sie konnten ihre Simulationen mit realen Messdaten verifizieren und zeigen, dass das Simulationsmodell und die Realität nahezu identisch waren. 

Weiterlesen: Publikation zum Ladungstransport von Schottky Barrier MOSFETs

Michael Gräf und Fabian Hosenfeld befinden sich derzeit im letzten Jahr ihrer kooperativen Promotion gemeinsam mit der Universität Rovira i Virgilia in Tarragona, Spanien. Am Fachbereich EI forschen sie in der Arbeitsgruppe "Nanoelektronik und Bauelementmodellierung" unter der Leitung von Prof. Klös an Kompaktmodellen für neuartige Nanotransistoren.

Durch die Teilnahme an der dreitägigen internationalen Konferenz MIXDES (Mixed Design of Integrated Circuits and Systems) in Bydgoszcz, Polen, haben beide ihre neuesten Forschungsergebnisse veröffentlicht. Unter den ca. 100 Konferenzteilnehmern/-innen befand sich mit Dr. Mike Schwarz auch ein ehemaliger Doktorand der THM.

Weiterlesen: Doktoranden präsentieren ihre Arbeit in Bydgoszcz

Anita Farokhnejad und Fabian Horst führen an der THM derzeit eine kooperative Promotion zusammen mit der Universität Rovira i Virgilia in Tarragona, Spanien durch. Am Fachbereich EI forschen sie in der Arbeitsgruppe "Nanoelektronik und Bauelementmodellierung" unter der Leitung von Prof. Klös an neuartigen Transistorstrukturen.

Weiterlesen: Doktoranden präsentieren ihre Arbeit in Athen