Im Rahmen des EU-Förderprogramms ASCENT European Nanoelectronics Network (www.ascent.network/community/success-stories, and @ASCENTeu) hat die AG Nanoelektronik ein Viertel eines 300 mm Wafers leihweise für ein Jahr erhalten.

Der Wafer von CEA-Leti (Grenoble) enthält MOS-Transistorstrukturen mit Kanalabmessungen von wenigen Nanometern, welche bisher nur zu Forschungszwecken hergestellt werden. Unser Doktorand Kerim Yilmaz arbeitet an der Entwicklung von Kompaktmodellen zur Beschreibung von Nanostrukturtransistoren mit ultra-kurzer Kanallänge. Er charakterisiert die Bauelemente am Waferprobermessplatz und kann damit seine Modellgleichungen verifizieren.