Das 9. Schottky-Barriere-MOS-Bauelemente (SB-MOS) Symposium fand am 17. und 18. November 2025 an der TU Wien statt. Neben den zahlreichen internationalen Teilnehmern trugen Prof. Alexander Klös und Prof. Mike Schwarz von der THM mit Vorträgen aus ihrem Forschungsgebiet bei. Begleitet wurden sie von drei Studierenden des Bachelorstudiengangs Elektro- und Informationstechnik, die durch ihre Teilnahme den Workshop als Wahlfplichtmodul mit 2 Creditpoints anerkannt bekommen.

Das SB-MOS Symposium wurde in diesem Jahr vom EDS Germany Chapter organisiert und von der TU Wien, der École Polytechnique Paris, der Namlab gGmbH, IEEE EDS und der Europäischen Union im Rahmen des Projekts Sensoteric unterstützt. Etwa 50 Teilnehmerinnen und Teilnehmer besuchten die 25 Vorträge in 10 Sitzungen mit Beiträgen aus Europa und den Vereinigten Staaten. Die Beiträge kamen hauptsächlich aus dem akademischen Bereich, aber auch aus der Industrie. Das Workshop-Format ermöglichte nach den Vorträgen sowie während der Mittagspausen und des Abendessens intensive wissenschaftliche Diskussionen.

Nach einer herzlichen Begrüßung von Prof. Walter Weber, Leiter des Instituts für Festkörperelektronik an der TU Wien, begann der erste Tag mit Vorträgen, die neue Perspektiven auf Schottky-Barriere-Bauelemente aufzeigten. Prof. Alexander Kloes stellte dabei "Effiziente statistische Schaltungssimulation unter Berücksichtigung der bias-abhängigen Bauteilvariabilität" vor. “Ich habe vor allem mitgenommen, wie richtiger wissenschaftlicher Austausch funktioniert”, erzählt Jonas Weber.

Zwischen den Sessions boten Prof. Walter Weber und sein Team eine Führung durch die Labore der TU Wien an und stellten ihre hervorragenden Beiträge in verschiedenen Bereichen der Mikroelektronik vor. “Die Führung durch den ZMNS-Reinraum war dabei ein besonderes Highlight”, berichtet Matthias Geiger. Mit lebhaften interdisziplinären Diskussionen beim Abendessen in der Wiener Wirtschaft endete der erste Tag.

Der zweite Tag des Symposiums umfasste sieben Sitzungen, in denen verschiedene Aspekte und Perspektiven zu Schottky-Barriere-Übergängen untersucht wurden. Darunter referierte auch Prof. Mike Schwarz zum Thema "Simulation und Modellierung von Halbleiterbauelementen und Sensoren - vom Einsteiger zum Experten".

Prof. Walter Weber beendete das Symposium und hob in seiner Abschlussrede die breite Palette von Anwendungen her, die durch Schottky-Barriere-Verbindungen ermöglicht werden. Er dankte allen Teilnehmern und Organisatoren, die das SB-MOS-Symposium zu einem Erfolg gemacht haben.

Rückblickend resümiert Kai Reuter: “Besonders begeistert hat mich die Vielseitigkeit der Vorträge und die Menge an Expertenwissen, die an einem Ort versammelt waren.“ Unsere drei Studierenden sind sich einig, dass sie das Symposium allen Kommilitonen mit einem Interesse an Nanoelektronik weiterempfehlen können.

Im Jahr 2026 wird das 10-jährige Jubiläum des Symposiums voraussichtlich im September/Oktober von Prof. Joachim Knoch an der RWTH Aachen in Deutschland ausgerichtet.