Am 7. und 8. September wird von der AG Nano im Fachbereich EI ein internationaler Workshop mit Beiträgen auf dem Gebiet der Modellbildung, Simulation und Charakterisierung elektronischer Bauelemente ausgerichtet:

"IEEE EDS Mini-Colloquium on „Memristive Devices“ and Symposium on Schottky Barrier MOS (SB-MOS) devices

Studierende, die sich für das Gebiet der Mikroelektronik interessieren, sind herzlich zur Teilnahme eingeladen.
Hierzu ist eine Anmeldung über diesen Anmeldungs-Link bis zum 31.08.2022 notwendig.
Die Teilnahme ist kostenfrei.

Auf der Siete des Symposium on Schottky barrier MOS devices finden Sie weitere Informationen zum Tagungsprogramm.

Wir freuen uns über eine zahlreiche Teilnahme.