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Prof. Dr.-Ing. Alexander Klös

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Büro: A21.3.16

Leiter der Arbeitsgruppe ist Alexander Kloes. Er erhielt sein Diplom und Ph.D. im Fachgebiet Elektrotechnik an der Technischen Universität Darmstadt am Institut für Halbleitertechnik im Jahr 1993 bzw. 1997. Von 1997 bis 2002 arbeitete er als Project Manager R&D bei der Braun GmbH in Kronberg, Deutschland, wo er sich auf Silizium-basierte IR-Sensor-Technologie spezialisierte. Seit 2002 ist er Professor an der Technischen Hochschule Mittelhessen in Gießen, Deutschland. Er leitet dort die Forschungsgruppe Nanoelektronik / Bauelement-Modellierung im Kompetenzzentrum für Nanotechnologie und Photonik, dessen Sprecher er seit dem Jahr 2019 ist. Seine Forschungsinteressen liegen in der Halbleiterbauteilmodellierung, insbesondere von nanoskalierten MOS-Transistoren und Bauelementen auf Basis organischer Halbleiter. Prof. Kloes war assoziiertes Mitglied in COMON (Compact Modelling Network) und Mitglied in DOMINO (Design oriented modeling for flexible electronics), jeweils branchenübergreifende Zusammenschlüsse aus Hochschulen und der Industrie, welche durch die EU gefördert wurden. In diesem Zusammenhang trägt er ebenso zu der Forschungsgruppe an der Universität Rovira i Virgili in Tarragona, Spanien, bei.

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Dr. Ghader Darbandy

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Büro: A21.3.15

Ghader Darbandy ist wissenschaftlicher Mitarbeiter in der Forschungsgruppe Nanoelektronik / Bauelement-Modellierung im Kompetenzzentrum für Nanotechnologie und Photonik an der Technischen Hochschule Mittelhessen (THM) in Gießen. 

Seine Forschungsinteressen liegen in der Entwicklung neuer Halbleiterbauelemente, der Modellierung und Simulation von modernen Nano-FETs und organischen Transistoren und in Design, Analyse und Charakterisierung von Bauelementen. 

Von März 2013 bis März 2018 war er Postdoc am Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente und Integrierte Schaltungen (CEDIC) am Institut für Elektrotechnik und Elektronik (IEE), Institut für Elektrotechnik und Informationstechnik, an der Technische Universität Dresden. Er war in der Forschungseinrichtung "Zentrum für Perspektiven in der Elektronik Dresden" (cfaed) verantwortlich für die Projekte "Silicon Nanowire" und "Organic/Polymer".

 

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Fabian Horst M.Sc.

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Büro: A21.4.07

Fabian Horst erhielt den Bachelor- und Master-Abschluss in Elektrotechnik an der Technischen Hochschule Mittelhessen in Gießen, Deutschland, in den Jahren 2014 und 2015. Derzeit arbeitet er an der Universität Rovira i Virgili, Tarragona, Spanien, in Zusammenarbeit mit der Technischen Hochschule Mittelhessen, Gießen, an seiner Dissertation. Seit 2014 arbeitet er zudem als wissenschaftlicher Mitarbeiter in der Forschungsgruppe Nanoelektronik / Bauelement-Modellierung im Kompetenzzentrum für Nanotechnologie und Photonik der Technische Hochschule Mittelhessen, Gießen, Deutschland. Seine aktuelle Forschungsaufgabe umfasst die kompakte Modellierung von Tunnel-FETs in der Hardwarebeschreibungssprache Verilog-A. Herr Horst wurde mit dem Friedrich-Dessauer-Preis im Jahr 2014 für die beste Bachelorarbeit ausgezeichnet: "Biaxial Pick-and-Place-Roboter-Entwicklung mit Hilfe von Parallelkinematik und Linearmotoren".

 

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Atieh Anita Farokhnejad M.Sc.

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Büro: A21.4.07

Atieh Anita Farokhnejad hat ihren Bachelor-Abschluss in Elektrotechnik an der Dr.Shariaty Technischen Universität Teheran, Iran, im Jahr 2012 erhalten. Im Jahr 2015 erhielt sie den akademischen Abschluss M.Sc. in Informations- und Kommunikationstechnik von der Technischen Hochschule Mittelhessen in Friedberg, Deutschland. Derzeit arbeitet sie an der Universität Rovira i Virgili, Tarragona, Spanien in Zusammenarbeit mit der Technischen Hochschule Mittelhessen in Gießen an ihrer Dissertation. Im Oktober 2014 trat sie der Forschungsgruppe Nanoelektronik / Bauelement-Modellierung bei. Während ihrer Master-Thesis arbeitete sie an Wavelet für die analytische Berechnung der Transmission an der Energiebarriere in MOSFETs. Der Schwerpunkt ihres aktuellen Projekts ist die Berechnung der Kapazitäten von Tunnel-FETs.

 

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Jakob Prüfer M.Sc.

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Büro: A21.4.07

Jakob Prüfer erhielt seinen Bachelorabschluss im Schwerpunkt Elektronik (Technische Hochschule Mittelhessen 2015). Er strebt derzeit im Rahmen des Projektes „SOMOFLEX“ seinen M.Sc.-Abschluss in Elektrotechnik ebenfalls an der Technischen Hochschule Mittelhessen an. Dieses wird durch das Programm "IngenieurNachwuchs" durch das Bundesministerium für Bildung und Forschung gefördert. Die Simulationen umfassen die Modellierung und Untersuchung von flexiblen organischen Kurzkanal-Dünnschichttransistoren.

 

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Kerim Yilmaz M.Sc.

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Büro: A21.4.05

Kerim Yilmaz erhielt die akademischen Abschlüsse B.Sc. und M.Sc. in Physik an der Justus-Liebig-Universität in Gießen in den Jahren 2012 und 2015. Von 2015 bis 2017 arbeitete er als Lehrkraft an der Technischen Hochschule Mittelhessen (THM) in Gießen für den Fachbereich MNI. Seit 2017 arbeitet er als wissenschaftlicher Mitarbeiter an der THM und leistet Forschungs- und Entwicklungsarbeit in der Arbeitsgruppe Nanoelektronik / Bauelementmodellieurung unter der Projektleitung von Prof. Dr.-Ing. Alexander Klös. Zu den Forschungsaufgaben gehört die Entwicklung physiknaher Modellierungsansätze für Nanowire-Transistorstrukturen unterschiedlicher Funktionsweise (MOSFET, Junctionless-FET, Tunnel-FET, Schottky-Barrier-FET), insbesondere unter Berücksichtigung dreidimensionaler Effekte auf das elektrische Verhalten.

 

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Jakob Leise M.Sc.

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Büro: A21.4.07

Jakob Simon Leise absolvierte sein duales Bachelor-Studium an der Technischen Hochschule Mittelhessen in Wetzlar in Zusammenarbeit mit der Siemens AG in Marburg. Seinen Bachelor-Abschluss erhielt er im Jahre 2016. Im Zuge seiner Bachelor-Thesis beschäftigte er sich mit dem Erstellen von automatisierten Reports mithilfe der Microsoft SQL Server Reporting Services. Seit März 2018 arbeitet er in der Forschungsgruppe für Nanoelektronik und Bauelementmodellierung. Er hat dort seine Master-Thesis im Rahmen des Projekts "SOMOFLEX" über die Modellierung des Kapazitätsverhaltens organischer Dünnschichttransistoren abgeschlossen. Seitdem ist er als Doktorand an der Universitat Rovira i Virgili in Tarragona, Spanien beschäftigt und setzt seine Arbeit an der Kapazitätsmodellierung fort. Ein weiterer Themenschwerpunkt ist die Messung und Modellierung des Rauschverhaltens dieser Transistoren.

 

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Aristeidis Nikolaou M.Sc.

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Büro: A21.4.05

Aristeidis Nikolaou erhielt die akademischen Grade 5-jähriges Diplom (Integrierter Master) und M.Sc. in Elektronik and Computertechnik an der Fakultät Elektro- und Computertechnik der Technischen Universität von Crete in den Jahren 2016 und 2018. Während seines Masterstudiums arbeitete er im Bereich der Kompaktmodellierung in den Projekten „EKV3.0 MOST-Modellierung für 12-V-HVFETs“, gefördert durch die Firma EM MICROELECTRONIC MARIN S. A., Schweiz und „Compact Modeling of High Total Ionizing Dose Effects in 65nm CMOS”, finanziert von der Europäische Organisation für Kernforschung (CERN). Seit Juni 2019 arbeitet er an der THM in der Arbeitsgruppe Nanoelektronik und Bauelementmodellierung unter der Projektleitung von Prof. Dr.-Ing. Alexander Klös.

 

Ehemalige

Dr. Fabian Hosenfeld (2013-2018)
Dr. Michael Gräf (2012-2017)
M.Eng. Franziska Hain (2012-2017)
M.Sc. Christian Lammers (2013-2015)
Dr. Thomas Holtij (2010-2014)
Dr. Mike Schwarz (2009-2012)
Dr. Michaela Weidemann (2005-2009)