Dr. Thomas Holtij hat seine Promotion an der spanischen Universität Rovira i Virgili mit der Bestnote „Excellence“ und einer zusätzlichen Auszeichnung abgeschlossenDr. Thomas Holtij hat seine Promotion an der spanischen Universität Rovira i Virgili mit der Bestnote „Excellence“ und einer zusätzlichen Auszeichnung abgeschlossen. Seine Dissertation trägt den Titel „Analytical Compact Modeling of Nanoscale Multiple-Gate MOSFETs“. Sie befasst sich mit der Simulation, Analyse und Modellierung von Bauelementen der Nanoelektronik.

Auf diesem Gebiet kooperiert die Arbeitsgruppe Nanoelektronik/Bauelementmodellierung der TH Mittelhessen schon seit vielen Jahren mit der spanischen Partnerhochschule. Holtij schrieb seine Doktorarbeit in Gießen als Wissenschaftlicher Mitarbeiter im Forschungsprojekt „Strukturnahe Modellierung von Nanoscale Multiple-Gate-FETs zur Schaltungssimulation“ von Prof. Dr. Alexander Klös, das von der Deutschen Forschungsgemeinschaft gefördert wurde. Gleichzeitig war er als Doktorand an der Universität in Tarragona eingeschrieben. Betreut wurde die Arbeit von Klös und seinem spanischen Kollegen Prof. Benjamin Iniguez.

Thomas Holtij hat 2010 am Fachbereich Elektro- und Informationstechnik in Gießen das Studium Mikroelektronik/Elektronik-Design als Diplom-Ingenieur abgeschlossen. Es folgte ein Fernstudium zum Master in „Electronics Engineering“ an der Universität Rovira i Virgili. Der 30-jährige Ingenieurwissenschaftler ist der dritte Absolvent der THM, der - betreut von Alexander Klös - an der spanischen Partnerhochschule promoviert hat.